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產(chǎn)品資料

AgilentLCR電橋4279A
產(chǎn)品型號:
簡(jiǎn)介:

AgilentLCR電橋4279A在測量半導體的電容和偏置電壓特性方面,是提高測量質(zhì)量和吞吐量的*佳解決方案。

AgilentLCR電橋4279A  的詳細介紹

AgilentLCR電橋4279A 1MHz C-V表
在測量半導體的電容和偏置電壓特性方面,是提高測量質(zhì)量和吞吐量的*佳解決方案。Agilent 4279A在掃描直流偏置電壓的同時(shí),可測量0.00001pF至1280.00pF范圍的電容,基本精度為0.1%,顯示分辨率為6位。因為偏置電壓不確定度很低,所以在+/-38V范圍內,電壓精度達0.1%的內部可編程直流偏置掃描源可確保非常少的測量錯誤。這使Agilent 4279A成為了**表征和測試變容二極管、MOS二極管等的器件理想工具。測量時(shí)間具有三種可選模式:10ms、20ms和30ms/meas,以達到*大生產(chǎn)效率。Agilent 4279A的快速量程選擇和高速GP-IB數據傳輸能力可以縮短測試時(shí)間。自動(dòng)偏置極性控制特性有助于為被測件快速選擇正確的極性偏置電壓。這種新功能簡(jiǎn)化了輸入/輸出檢查中的手動(dòng)采樣測試,并為自動(dòng)測試系統提供了簡(jiǎn)單的極性控制方法。
主要技術(shù)指標
用于晶片摻雜的C-V測量
變容二極管的C-V表征和分類(lèi)。
射頻混頻器和轉換二極管的電容測試。
通過(guò)進(jìn)廠(chǎng)檢驗的應用直流偏置測試電容器。
測量時(shí)間:10ms/20ms/30ms
測量精度:0.1%(20ms)
內部直流偏置:0至+/-38V,0.1%可編程掃描
測量范圍:0.00001pF至1280pF

 

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